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NTMD5836NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
10
1000
800
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
8
6
Q T
600
400
4
Q GS
Q GD
200
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
2
0
0
5
10
V DS = 20 V
I D = 7 A
T J = 25 ° C
15
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation ? Channel 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 20 V
I D = 7 A
V GS = 4.5 V
12
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(on)
t r
t d(off)
8
6
4
1
t f
2
0
1
10
100
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance ? Channel 2
20
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
? Channel 2
I D = 21 A
10
1
1 m s
15
10 m s
10
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
100 m s
1 ms
5
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area ? Channel 2
http://onsemi.com
8
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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